S3C2440與NAND FLASHK9F1208的接線分析

圖一

圖二

圖三

圖四

圖五

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NAND FLASH的接線方式和NOR FLASH,SDRAM都不一樣。以TQ2440開發板用的K9F1208為例，分析NAND FLASH的接線方式。K9F1208結構如圖一所示：
K9F1208位寬是8bit。
一頁： 512byte + 16byte 最後16byte是用於存儲校驗碼和其他資訊用的，不能存放實際的資料。
一個塊有32 page：（16k+512）byte
K9F1208有4096個塊：(64M+2M)byte，總共有64Mbyte可操作的晶片容量
NAND FLASH以頁為單位讀寫資料，以塊為單位擦除數據。
S3C24440和K9F1208的接線如圖二：

圖三是S3C2440的NAND FLASH引腳配置：

當選定一個NAND FLASH的型號後，要根據選定的NAND FLASH來確定S3C2440的NCON,GPG13,GPG14,GPG15的狀態。
圖四是S3C2440中4個腳位元狀態的定義：

K9F1208的一頁是512byte，所以NCON接低電平，GPG13接高電平。
K9F1208需要4個定址命令，所以GPG14接高電平K9F1208的位寬是8，所以GPG15接低電平。
NAND FLASH定址對K9F1208來說，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，資料寬度是8位元。
地址傳遞分為4步，如圖五：

第1步發送列位址，既選中一頁512BYTE中的一個位元組。512byte需要9bit來選擇，這裏只用了A0-A7，原因是把一頁分成了2部分，每部分256位元組。通過發送的讀命令字來確定是讀的前256位元組還是後256位元組。
當要讀取的起始地址（Column Address）在0~255內時我們用00h命令，當讀取的起始位址是在256~511時，則使用01h命令。
一個塊有32頁，用A9-A13共5位來選擇一個塊中的某個頁。
總共有4096個塊，用A14-A25共12位來選擇一個塊。
K9F1208總共有64Mbyte，需要A0-A25共26個位址位。
例如要讀NAND FLASH的第5000位元組開始的內容。把5000分解成列地址和行地址。
Column_address = 5000%512 = 392
Page_address = (5000>>9) = 9
因為column_address>255,所以用01h命令讀
發送命令和參數的順序是：
NFCMMD = 0x01;從後256位元組開始讀
NFADDR = column_address & 0xff;取column_address的低8位元送到數據線
NFADDR = page_address & 0xff;發送A9-A16
NFADDR = (page_address >>8) & 0xff; 發送A17-A24
NFADDR = (page_address >> 16) & 0xff;發送A25
上面的NFCMMD,NFADDR.是S3C2440的NAND FLASH控制寄存器。讀取的數據會放在NFDATA中。

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